>> FPT s’allie à Viettel et à plusieurs partenaires pour développer l’industrie des semi-conducteurs
>> Le Vietnam accélère le développement de son écosystème des semi-conducteurs
 |
| Une puce semi-conductrice d'une université vietnamienne est exposée au salon des semi-conducteurs SemiExpo à Hanoï en novembre 2025. |
| Photo : Luu Quy/CVN |
Cette collaboration s'inscrit dans le cadre de NEXUS, l'initiative stratégique du Japon en matière de science et de technologie avec les pays de l'ASEAN, lancée par l'Agence japonaise pour la science et la technologie. Dotée d'un budget total d'environ 100 millions de dollars américains pour la période 2024-2029, cette initiative vise à promouvoir l'innovation par la recherche collaborative et le développement de ressources humaines hautement qualifiées entre le Japon et les pays de l'ASEAN.
NEXUS est mis en œuvre de manière flexible, en fonction des priorités de chaque pays membre de l’ASEAN. Singapour privilégie l’intelligence artificielle et l’informatique quantique, la Thaïlande et la Malaisie les technologies vertes, tandis que le Vietnam se concentre sur les semi-conducteurs, un secteur stratégique appelé à renforcer sa participation à la chaîne de valeur mondiale.
Circuits intégrés 3D de nouvelle generation
Un projet, mené conjointement par l’Université pédagogique de Hanoï et l’Université d’Hiroshima, vise à concevoir, simuler et fabriquer un circuit intégré tridimensionnel reposant sur des transistors en silicium monocristallin à hautes performances, élaborés sur un diélectrique transparent grâce à un procédé laser à basse température.
L’objectif est de maîtriser l’ensemble de la chaîne, de la conception à la fabrication, tout en formant des ressources humaines hautement qualifiées pour l’industrie des semi-conducteurs.
 |
| Pour créer une marque de puces semi-conductrices, le Vietnam doit augmenter les investissements dans l’éducation. |
| Photo : Quang Châu/CVN |
Ce projet devrait inclure la réalisation de prototypes, la documentation de conception et les procédés de fabrication de transistors Si monocristallins à localisation laser ; la fabrication de transistors Si en couches minces à cristallisation laser avec canaux de conduction localisés au niveau des monocristaux ; fabrication de transistors CFET à partir de transistors Si en couches minces cristallisées au laser, avec des canaux de conduction localisés au niveau des monocristaux ; et fabrication de cellules SRAM à partir de structures CFET.
Il prévoit également des publications scientifiques, un soutien à la formation doctorale et de master, ainsi que l’enregistrement de la propriété intellectuelle.
Matériaux avancés pour transistors à haute mobilité
Un autre projet, mené par l’Université vietnamienne Phenikaa et l’Université Ritsumeikan (Japon), vise à développer des matériaux semi-conducteurs avancés pour transistors à haute mobilité électronique, en combinant simulation théorique et expérimentation.
Il a pour objectif de développer un procédé de production de matériaux utilisant des technologies de pointe telles que l’épitaxie par jets moléculaires (EJM), le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et Le dépôt de couches atomiques (ALD). De plus, le projet vise à établir des modèles de calcul théoriques à l'échelle atomique, combinant l'IA et l'analyse de données massives pour prédire avec précision les propriétés physiques des matériaux HEMT, telles que la résistance, la concentration de défauts, la conductivité électrique et la conductivité thermique.
Ces plateformes de matériaux seront directement appliquées au développement de biocapteurs compacts et portables, répondant ainsi aux besoins pratiques des secteurs industriel et médical.
 |
| Une conférence de presse présentant la technologie des semi-conducteurs japonais et la coopération entre le Vietnam et le Japon dans ce domaine. |
| Photo : JICA/CVN |
Les produits attendus sont des programmes intégrés de modélisation et de simulation par IA, notamment pour la simulation de la mobilité électronique, la simulation de la conductivité thermique des matériaux et la simulation du dépôt de couches atomiques (ALD) sélectif sur la surface des semi-conducteurs. Le projet comprend la conception, la fabrication et le prototypage d'un biocapteur basé sur la structure GaN-HEMT.
En outre, le projet vise à produire un prototype du capteur, à publier dix articles scientifiques et à soutenir la formation de doctorants et de masters.
Capteurs intégrés et énergie renouvelable
Un projet associant l’Université des sciences (Université nationale de Hanoï) et l’Institut des sciences et technologies de Nara (NAIST) porte sur le développement de matériaux semi-conducteurs à base d’oxydes et de pérovskites hybrides. Il se concentre sur l'application de ces matériaux dans des puces de capteurs environnementaux à canaux microfluidiques intégrés, intégrant des transistors à effet de champ et des composants de conversion d'énergie optoélectronique et thermoélectrique. Parallèlement, le projet contribue à la formation de personnel hautement qualifié dans le domaine des semi-conducteurs au Vietnam.
 |
| Signature d'un protocole d’accord sur la coopération Vietnam - Japon en matière des semi-conducteurs, à Osaka. |
| Photo : VNA/CVN |
Les résultats attendus comprennent des procédés de fabrication de nanocomposites (TiO₂, ZnO, CuO), ainsi que plusieurs rapports. Parmi ceux-ci, on peut citer un rapport sur l'intégration de canaux microfluidiques et de capteurs SERS utilisant des nanocomposites semi-conducteurs et des métaux précieux, un rapport sur l'intégration de puces de capteurs environnementaux basées sur des structures de canaux microfluidiques et de transistors à effet de champ EGFET, et des cellules solaires à pérovskite sur substrat de verre.
Ses résultats attendus comprennent la publication de six articles scientifiques, l'acceptation de deux demandes de brevet et le financement de la formation de deux doctorants et de deux étudiants de master.
Puces SoC pour l’intelligence artificielle
Ce projet, mené entre l’Université des sciences (Université nationale de Hô Chi Minh-Ville) et l’Université d’Électronique et de Communications (UEC, Japon), vise à maîtriser la conception de systèmes sur puce (SoC) sécurisés basés sur des processeurs RISC-V intégrant des cœurs d’intelligence artificielle pour les dispositifs biomédicaux (IA-IoMT). L'objectif principal est de développer une technologie de conception de puces "fabriquée au Vietnam", de former des ressources humaines hautement qualifiées et de commercialiser des puces semi-conductrices.
 |
| L'étude de puce à l'Université nationale de Hô Chi Minh-Ville. |
| Photo : Quang Châu/CVN |
Le produit phare sera une puce IP logicielle utilisant un processeur RISC-V 32 bits, intégrant un cœur d'IA CNN-1D et des cœurs cryptographiques légers tels qu'ASCON et PRINCE. Le projet prévoit la fabrication au Japon de cinq prototypes de puces CMOS 180 nm, ainsi que de cinq prototypes de capteurs de glycémie non invasifs.
Les résultats attendus comprennent sept articles scientifiques, un brevet et le soutien à la formation de deux doctorants et six étudiants de master au Vietnam et au Japon.
Électronique de puissance de nouvelle génération
Ce projet, réalisé conjointement par l'École des matériaux de l'Université des sciences et technologies de Hanoï (HUST - Université polytechnique) et l'Université de Tokyo, porte sur les technologies de fabrication de matériaux semi-conducteurs à large bande passante. Ces matériaux reposent sur trois systèmes : GaN, Ga₂O₃ et SrTiO₃, ainsi que sur leurs hétérostructures. L'objectif est d'acquérir les compétences nécessaires au développement de composants et de circuits intégrés SBD et HEMT de nouvelle génération, permettant ainsi la fabrication d'alimentations électroniques de puissance hautes performances. Ce projet vise également à promouvoir la coopération en matière de recherche et à former des experts vietnamiens de haut niveau.
 |
| L’enseignement STEM dans les écoles ouvre aux jeunes la possibilité d’étudier la technologie des puces électroniques. |
| Photo : Quang Châu/CVN |
Les résultats attendus comprennent un ensemble de documents de conception et de technologies de fabrication pour les composants SBD et HEMT, ainsi que pour les alimentations électroniques de puissance hautes performances. Parmi les retombées escomptées figurent des publications scientifiques, le dépôt d'une demande de protection de la propriété intellectuelle acceptée et le soutien à la formation de deux doctorants et de cinq étudiants de master dans ce domaine spécialisé.
Au-delà de ces cinq projets, le Vietnam et le Japon entendent élargir leur coopération en cofinançant dix nouvelles missions en 2026, axées sur quatre domaines clés liés aux semi-conducteurs : les matériaux, la conception, les technologies de soutien et la fabrication.
Nguyên Tùng/CVN
