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| Le Docteur Nguyên Trong Hiêu. |
Cette invention fonctionne en capturant en quelques secondes des images haute résolution de matériaux semi-conducteurs, y compris de nombreux défauts potentiels, a indiqué le Docteur Nguyên Trong Hiêu, de l’Institut d’ingénierie d’électricité, d’énergie et de matériaux de l’ANU.
"Nous l’appelons +le miracle de la vitesse et de l’espace+. Ce n’est pas simplement plusieurs fois plus rapide que les techniques actuellement utilisées, mais des dizaines de milliers de fois plus rapide", a-t-il déclaré. "Cela ouvre la porte à une nouvelle génération d’outils de haute résolution, de caractérisation précise et de détection des défauts pour les secteurs de la recherche et de l’industrie", a-t-il déclaré.
Il a indiqué avoir démontré cette méthode en capturant des images de la bande interdite optique, l’une des premières informations que les chercheurs ont besoin de connaître sur un matériau. Cette bande détermine de nombreuses propriétés des semi-conducteurs, y compris la capacité d’absorber la lumière et de conduire l’électricité.
Le co-auteur de cette invention, Boyi Chen de l’ANU, a indiqué que quelques secondes suffisent pour obtenir une image de bande interdite de haute qualité sur un appareil alors qu’il fallait une semaine entière avant cette invention
"Cette invention aidera à produire des téléphones mobiles, des cellules solaires, des capteurs et d’autres dispositifs optiques plus robustes, car elle peut détecter les défauts très tôt dans le processus de fabrication", a-t-il souligné.
VNA/CVN